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TN2130K1-G-VAO
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
TN2130K1-G-VAO
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3
TN2130K1-G-VAO 供应商
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Microchip
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SOT-23
23+ -
800
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
TN2130K1-G-VAO 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85mA（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 120mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3