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更新日期:2024-04-01 00:04:00

TK22V65X5,LQ

单 FET,MOSFET

产品简介:PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN

TK22V65X5,LQ 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥45.00000剪切带(CT)2,500 : ¥22.59264卷带(TR)
  • 系列:DTMOSIV-H
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2400 pF @ 300 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):180W(Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-DFN-EP(8x8)
  • 封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9