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TK20G60W,RVQ
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TK20G60W,RVQ
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
TK20G60W,RVQ 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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Toshiba
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21+/22+ -
1000
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上海市
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TK20G60W,RVQ 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1,000 : ￥11.26859卷带（TR）
- 系列：DTMOSIV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：155 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1680 pF @ 300 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：165W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB