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TK12J60W,S1VE(S
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
TK12J60W,S1VE(S
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
TK12J60W,S1VE(S 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 5.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 600μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 300 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：150°C
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-3P（N）
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3