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TJ90S04M3L,LQ
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
TJ90S04M3L,LQ
单 FET，MOSFET产品简介：PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TJ90S04M3L,LQ 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥17.57000剪切带（CT）2,000 : ￥8.02352卷带（TR）
- 系列：U-MOSVI
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.3 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：172 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+10V，-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7700 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：180W（Tc）
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DPAK+
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63