STY100NM60N
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
STY100NM60N
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
STY100NM60N 供应商
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- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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ST
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最新批号 -
8800
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上海市
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STY100NM60N 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥221.25000管件
- 系列:MDmesh? II
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 49A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):330 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9600 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247?
- 封装/外壳:TO-247-3