STWA63N65DM2
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
STWA63N65DM2
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
STWA63N65DM2 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥102.32000管件
- 系列:MDmesh? DM2
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):120 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):446W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3