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STWA58N65DM2AG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STWA58N65DM2AG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 48A TO247
STWA58N65DM2AG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247 长引线
- 封装/外壳：TO-247-3