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STW26NM60ND
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
STW26NM60ND
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STW26NM60ND 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-247
2024+ -
45000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
STW26NM60ND 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：FDmesh? II
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1817 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-3
- 封装/外壳：TO-247-3
STW26NM60ND 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STW26NM60ND
|
MOSFET N-CH 600V 21A TO247 |
23页,1.32M | 查看 |