STP9NM40N
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
STP9NM40N
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
STP9NM40N 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
STP9NM40N 中文资料属性参数
- 现有数量:742现货
- 价格:1 : ¥15.10000管件
- 系列:MDmesh? II
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):790 毫欧 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):365 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):60W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3