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STP10P6F6
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
STP10P6F6
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 60V 10A TO220
STP10P6F6 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ST/ELNAF
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TO-220
1828+ -
5099
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ST
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最新批号 -
6996
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上海市
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STP10P6F6 中文资料属性参数
- 现有数量：2,085现货
- 价格：1 : ￥9.94000管件
- 系列：DeepGATE?, STripFET? VI
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：340 pF @ 48 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220
- 封装/外壳：TO-220-3