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STO68N65DM6
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STO68N65DM6
单 FET，MOSFET产品简介：N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
STO68N65DM6 中文资料属性参数
- 现有数量：300现货
- 价格：1 : ￥76.96000剪切带（CT）1,800 : ￥43.63353卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 27.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3528 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TOLL（HV）
- 封装/外壳：8-PowerSFN