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STN6N60M2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STN6N60M2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STN6N60M2 供应商
- 公司
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- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
-
ST
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SOT-223
24+ -
1000
-
深圳
-
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-
只做原装，好价支持
STN6N60M2 中文资料属性参数
- 现有数量：118现货
- 价格：1 : ￥5.56000剪切带（CT）4,000 : ￥2.13872卷带（TR）
- 系列：MDmesh? M2
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.25 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：220 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：6W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-223-2
- 封装/外壳：TO-261-3