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STL16N65M2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STL16N65M2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STL16N65M2 供应商
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- 说明
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STM
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PowerFLAT鈩?5x6-HV-8
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
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ST
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最新批号 -
6996
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上海市
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STL16N65M2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥21.23000剪切带（CT）3,000 : ￥9.69583卷带（TR）
- 系列：MDmesh? M2
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：395 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：718 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：56W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）HV
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
STL16N65M2 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STL16N65M2
|
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT |
16页,943K | 查看 |