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STI360N4F6
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STI360N4F6
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STI360N4F6 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VI
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：340 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17930 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：I2PAK（TO-262）
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
STI360N4F6 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STI360N4F6
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MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
11页,178K | 查看 |