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STH360N4F6-2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STH360N4F6-2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STH360N4F6-2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ST/ELNAF
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H2PAK
1914+ -
3508
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
STH360N4F6-2 中文资料属性参数
- 现有数量：919现货
- 价格：1 : ￥57.32000剪切带（CT）
- 系列：DeepGATE?, STripFET? VI
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.25 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：340 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17930 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2Pak-2
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
STH360N4F6-2 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STH360N4F6-2
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MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 |
12页,354K | 查看 |