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STH30N65DM6-7AG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STH30N65DM6-7AG
单 FET，MOSFET产品简介：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
STH30N65DM6-7AG 中文资料属性参数
- 现有数量：247现货
- 价格：1 : ￥54.85000剪切带（CT）1,000 : ￥28.98805卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：223W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2PAK-7
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA