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STH270N8F7-2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STH270N8F7-2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STH270N8F7-2 供应商
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23+ -
46000
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合肥
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STH270N8F7-2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥41.66000剪切带（CT）1,000 : ￥22.00771卷带（TR）
- 系列：DeepGATE?, STripFET? VII
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：193 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13600 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：315W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2PAK
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型
STH270N8F7-2 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STH270N8F7-2
|
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 |
22页,1.62M | 查看 |