STD25N10F7
单 FET,MOSFET更新日期:2024-05-09 16:05:44
STD25N10F7
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STD25N10F7 供应商
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STD25N10F7
原装现货 -
ST
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TO-252
24+ -
1115
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深圳
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05-09
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STM
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TO-252-3(DPAK)
21+ -
50000
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上海市
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ST
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TO-252
新批号 -
887000
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上海市
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ST
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最新批号 -
6996
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上海市
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ST
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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STD25N10F7 中文资料属性参数
- 现有数量:1,650现货
- 价格:1 : ¥11.05000剪切带(CT)2,500 : ¥4.70141卷带(TR)
- 系列:DeepGATE?, STripFET? VII
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 12.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):920 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):40W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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