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STD10P6F6
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
STD10P6F6
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STD10P6F6 供应商
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STD10P6F6 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥8.82000剪切带（CT）2,500 : ￥3.74898卷带（TR）
- 系列：DeepGATE?, STripFET? VI
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：340 pF @ 48 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DPAK
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63