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SSM6P35FE,LM
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SSM6P35FE,LM
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
SSM6P35FE,LM 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12.2pF @ 3V
- 功率 - 最大值：150mW
- 工作温度：150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：ES6