SSM6P35AFE,LF
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
SSM6P35AFE,LF
FET、MOSFET 阵列产品简介:SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
SSM6P35AFE,LF 中文资料属性参数
- 现有数量:10,458现货
- 价格:1 : ¥3.34000剪切带(CT)4,000 : ¥0.61771卷带(TR)
- 系列:U-MOSVII
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 100μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):42pF @ 10V
- 功率 - 最大值:150mW(Ta)
- 工作温度:150°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:ES6