搜索
发布采购
SSM6N813R,LF
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SSM6N813R,LF
FET、MOSFET 阵列产品简介：SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD
SSM6N813R,LF 中文资料属性参数
- 现有数量：8,800现货
- 价格：1 : ￥4.37000剪切带（CT）3,000 : ￥1.55262卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：112 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：242pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.5W（Ta）
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：6-TSOP-F