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SSM6N58NU,LF
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SSM6N58NU,LF
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
SSM6N58NU,LF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Toshiba
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2216 -
3374
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上海市
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原装，假一罚十
SSM6N58NU,LF 中文资料属性参数
- 现有数量：140,921现货
- 价格：1 : ￥3.66000剪切带（CT）3,000 : ￥1.04676卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：84毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：129pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-UDFN（2x2）