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SSM6L35FU(TE85L,F)
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SSM6L35FU(TE85L,F)
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
SSM6L35FU(TE85L,F) 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.18000剪切带（CT）3,000 : ￥0.70619卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA，100mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9.5pF @ 3V
- 功率 - 最大值：200mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：US6