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SQJQ144AE-T1_GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SQJQ144AE-T1_GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
SQJQ144AE-T1_GE3 供应商
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SQJQ144AE-T1_GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAK8X8
22+ -
6000
-
深圳
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01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
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vishay
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NA
2022+ -
2000
-
苏州
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-
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原装
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VISHAY/威世
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SMD
22+ -
6000
-
上海市
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-
原装进口
SQJQ144AE-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥22.02000剪切带（CT）2,000 : ￥10.07221卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：575A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.9 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：145 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9020 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：600W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 8 x 8
- 封装/外壳：PowerPAK? 8 x 8