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SQJB04ELP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQJB04ELP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
SQJB04ELP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：23,955现货
- 价格：1 : ￥7.71000剪切带（CT）3,000 : ￥3.28037卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1055pF @ 25V
- 功率 - 最大值：27W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双