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SQJ963EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQJ963EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
SQJ963EP-T1_GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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TOSHIBA/东芝
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最新批号 -
8800
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上海市
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SQJ963EP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：1,859现货
- 价格：1 : ￥14.63000剪切带（CT）3,000 : ￥6.69376卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1140pF @ 30V
- 功率 - 最大值：27W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双