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SQJ960EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQJ960EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 60V 8A
SQJ960EP-T1_GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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VISHAY
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Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerP
22+ -
15000
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上海市
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原装，假一罚十
SQJ960EP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：2,921现货
- 价格：1 : ￥17.25000剪切带（CT）3,000 : ￥7.89619卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：36 毫欧 @ 5.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：735pF @ 25V
- 功率 - 最大值：34W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双
SQJ960EP-T1_GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SQJ960EP-T1_GE3
|
MOSFET 2N-CH 60V 8A |
12页,244K | 查看 |