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SQJ956EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2025-01-08 14:01:35
SQJ956EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
SQJ956EP-T1_GE3 供应商
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- 说明
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SQJ956EP-T1_GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAKSO-8
22+ -
6000
-
深圳
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01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
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vishay
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NA
2022+ -
15000
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苏州
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-
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原装
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VISHAY/威世
-
SMD
22+ -
6000
-
上海市
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原装进口
SQJ956EP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：22现货
- 价格：1 : ￥8.82000剪切带（CT）3,000 : ￥3.73261卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26.7 毫欧 @ 5.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1395pF @ 30V
- 功率 - 最大值：34W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双