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SQJ465EP-T1_GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQJ465EP-T1_GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
SQJ465EP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：1,170现货
- 价格：1 : ￥10.57000剪切带（CT）3,000 : ￥4.49925卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 3.5A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1140 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8