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SQJ200EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQJ200EP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
SQJ200EP-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥9.62000剪切带（CT）3,000 : ￥4.07268卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，60A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：975pF @ 10V
- 功率 - 最大值：27W，48W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双通道不对称
SQJ200EP-T1_GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SQJ200EP-T1_GE3
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MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
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