SQD40N10-25-T4_GE3
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
SQD40N10-25-T4_GE3
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
SQD40N10-25-T4_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:2,500 : ¥5.55336卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):70 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):136W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252AA
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63