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SQ4917EY-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQ4917EY-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
SQ4917EY-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：9,974现货
- 价格：1 : ￥14.63000剪切带（CT）2,500 : ￥6.69379卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1910pF @ 30V
- 功率 - 最大值：5W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC