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SQ4532AEY-T1_BE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SQ4532AEY-T1_BE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
SQ4532AEY-T1_BE3 中文资料属性参数
- 现有数量：2,444现货
- 价格：1 : ￥6.92000剪切带（CT）2,500 : ￥2.93094卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.3A（Tc），5.3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 4.9A，10V，70 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.8nC @ 10V，10.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：535pF @ 15V，528pF @ 15V
- 功率 - 最大值：3.3W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC