SQ4401EY-T1_GE3
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
SQ4401EY-T1_GE3
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
SQ4401EY-T1_GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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VISHAY
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SOP8
23+ -
5800
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上海市
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全新原装现货,杜绝假货。
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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SQ4401EY-T1_GE3 中文资料属性参数
- 现有数量:10,533现货
- 价格:1 : ¥23.29000剪切带(CT)2,500 : ¥10.66047卷带(TR)
- 系列:TrenchFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.3A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 10.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):115 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4250 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):7.14W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)