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SPD18P06PGBTMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SPD18P06PGBTMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
SPD18P06PGBTMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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PG-TO252-3
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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Infineon Technologies
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最新批号 -
6996
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上海市
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INFINEON
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22+ -
67500
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上海市
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原装，假一罚十
SPD18P06PGBTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：15,453现货
- 价格：1 : ￥11.61000剪切带（CT）2,500 : ￥4.93282卷带（TR）
- 系列：SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：860 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：80W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63