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SP8M70TB1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SP8M70TB1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
SP8M70TB1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ROHM/ELNAF
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SOP8
1805+ -
75000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
SP8M70TB1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：250V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，2.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180pF @ 25V
- 功率 - 最大值：650mW
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP