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SP8K80TB1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SP8K80TB1
FET、MOSFET 阵列产品简介：10V DRIVE NCH+NCH MOSFET: COMPLE
SP8K80TB1 供应商
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ROHM
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SOP8[5.00x6.20x1.71mm]
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
SP8K80TB1 中文资料属性参数
- 现有数量：230现货
- 价格：1 : ￥15.66000剪切带（CT）2,500 : ￥7.15580卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.7 欧姆 @ 250mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：23.5pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP