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SIZF906DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZF906DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
SIZF906DT-T1-GE3 供应商
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VISHAY
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VISHAY
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上海市
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VISHAY
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23+ -
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合肥
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SIZF906DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：16,169现货
- 价格：1 : ￥13.28000剪切带（CT）3,000 : ￥5.63282卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 4.5V，92nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
- 功率 - 最大值：38W（Tc），83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PowerPair?（6x5）