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SIZF906BDT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZF906BDT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
SIZF906BDT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：29,479现货
- 价格：1 : ￥16.06000剪切带（CT）3,000 : ￥7.35302卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 15A，10V，680μ欧姆 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V，165nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1630pF @ 15V，5550pF @ 15V
- 功率 - 最大值：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PowerPair?（6x5）