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SIZF640DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZF640DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET
SIZF640DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥22.26000剪切带（CT）3,000 : ￥11.18864卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共源
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：41A（Ta）， 159A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.37 毫欧 @ 15A， 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：106nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5750pF @ 20V
- 功率 - 最大值：4.2W（Ta）， 62.5W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerDFN
- 供应商器件封装：PowerPAIR? 6x5FS