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SIZF360DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZF360DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
SIZF360DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：6现货
- 价格：1 : ￥12.80000剪切带（CT）3,000 : ￥5.42247卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10V，62nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 15V，3150pF @ 15V
- 功率 - 最大值：3.8W（Ta），52W（Tc），4.3W（Ta），78W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-PowerPair?
- 供应商器件封装：6-PowerPair?