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SIZ914DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZ914DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
SIZ914DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A，40A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.4 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1208pF @ 15V
- 功率 - 最大值：22.7W，100W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PowerPair?
SIZ914DT-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIZ914DT-T1-GE3
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MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR |
14页,203K | 查看 |