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SIZ260DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZ260DT-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
SIZ260DT-T1-GE3 供应商
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Vishay
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
SIZ260DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：41,339现货
- 价格：1 : ￥9.62000剪切带（CT）3,000 : ￥4.06685卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：820pF @ 40V
- 功率 - 最大值：4.3W（Ta），33W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-PowerPair?（3.3x3.3）