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SISS66DN-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SISS66DN-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
SISS66DN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥12.00000剪切带（CT）3,000 : ￥5.08357卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen IV
- 包装：卷带（TR）卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49.1A（Ta），178.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.38 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：85.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+20V，-16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3327 pF @ 15 V
- FET 功能：肖特基二极管（体）
- 功率耗散（最大值）：5.1W（Ta），65.8W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8S
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8S