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SIS990DN-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIS990DN-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
SIS990DN-T1-GE3 供应商
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SIS990DN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：95现货
- 价格：1 : ￥7.31000剪切带（CT）3,000 : ￥3.10857卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.1A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：250pF @ 50V
- 功率 - 最大值：25W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8 双
SIS990DN-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIS990DN-T1-GE3
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MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 |
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