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SIR500DP-T1-RE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SIR500DP-T1-RE3
单 FET，MOSFET产品简介：N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
SIR500DP-T1-RE3 供应商
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-
SIR500DP-T1-RE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAKSO-8
23+ -
24000
-
深圳
-
01-08
-
原厂渠道，现货，支持实单
-
VISHAY
-
SMD
23+ -
5000
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上海市
-
-
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原装进口
SIR500DP-T1-RE3 中文资料属性参数
- 现有数量：7,758现货
- 价格：1 : ￥13.04000剪切带（CT）3,000 : ￥5.96468卷带（TR）
- 系列：TrenchFET? Gen V
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85.9A（Ta），350.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.47 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：180 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：+16V，-12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8960 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），104.1W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8