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SIHP33N60E-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SIHP33N60E-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
SIHP33N60E-GE3 供应商
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-
SIHP33N60E-GE3
原装现货 -
VISHAY
-
TO-220AB
23+ -
8000
-
深圳
-
01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
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VISHAY/威世
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TO-220
21+ -
14390
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
SIHP33N60E-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：700现货
- 价格：1 : ￥48.65000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3508 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
- 封装/外壳：TO-220-3
SIHP33N60E-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHP33N60E-GE3
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MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB |
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