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SIHH100N60E-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SIHH100N60E-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIHH100N60E-T1-GE3 供应商
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-
SIHH100N60E-T1-GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAK8X8
22+ -
3000
-
深圳
-
01-08
-
原厂渠道，现货，支持实单
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VISHAY/威世
-
SMD
22+ -
3000
-
上海市
-
-
-
原装进口
SIHH100N60E-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥29.24509卷带（TR）
- 系列：E
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1850 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：174W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 8 x 8
- 封装/外壳：8-PowerTDFN